3D轮廓测量设备ES-450
产品描述：
本设备为大行程纳米级3D膜厚分析系统，基于白光干涉+共聚焦融合技术，实现450mm×450mm超大范围的高精度测量。专为半导体封装、先进封装（TSV/Bump）、MEMS微结构及晶圆级光刻胶厚度检测设计，支持0.2μm重复精度与10nm级垂直分辨率，满足工业级高稳定性检测需求。
设备技术参数：
类别
| 技术参数 |
光学系统
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光源:白光LED+单色激光双光源系统 物镜:5X-100X电动切换(NA 0.15-0.9) 探测器:12bit高速CMOS (帧率500fps) |
运动性能
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X/Y轴速度:1-10mm/s(速度-精度自适应调节) 运动性能 Z轴扫描速度:50μm/s(高精度模式)/200μm/s(快速模式) |
测量能力
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膜厚量程:1nm~10mm(透明/金属多层) 测量能力 粗糙度:Sa0.5nm~50μm(符合ISO 25178) 台阶高度:±0.1μm@100um(重复性) |
数据分析
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3D点云密度:2000万点/区域(0.5μm间距) 数据分析 内置分析:CD-SEM对标算法、厚度分布CPK分析 输出格式:GDSII,OASIS,CSV, 3D PDF |
环境适应性
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温度:15~30℃(恒温选配±0.5℃) 环境适应性 湿度:<70% RH(防冷凝涂层) 洁净度:Class 1000(FFU过滤模块选配) |
硬件配置 |
定位系统:真空吸附+机械夹具双模式(吸附力0~-90kPa) 安全防护:激光安全等级Class 1，急停按钮+光栅防护 |
应用场景：
类别
| 技术参数 |
先进封装
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Bump高度一致性(±0.5μm) 先进封装 TSV深宽比测量(深孔>100μm，直径<5μm) 铜柱侧壁垂直度(角度误差<0.1°) |
晶圆制造
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光刻胶厚度均匀性(CD均匀性≤1%) 晶圆制造 刻蚀图形侧壁粗糙度(Ra<10nm) CMP后铜层残余厚度(0.1μm分辨率) |
MEMS器件
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悬臂梁厚度(1~100μm) MEMS器件 微流道深度(>50:1深宽比) 惯性传感器台阶高度(重复性±0.05um) |
显示面板
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ITO膜厚(70~150nm,±1nm) 显示面板 OLED封装层3D形貌(台阶高度>5μm) 玻璃基板翘曲度(450mm全域平面度<2μm) |
