产品定位:
ETM-1200是专为宽禁带半导体与光电材料研发的高精度红外干涉式膜厚测量系统,突破性实现10μm~2.9mm跨尺度测量,针对碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等第三代半导体外延层及器件封装结构进行无损检测,满足6英寸晶圆级量产需求。
技术参数:
类 别
| 技术参数 |
光学系统
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波长范围:900-1700nm(可扩展至2.5μm) 干涉镜头:Michelson干涉结构,NA=0.4 探测器:InGaAs阵列(512x512像素,帧率60Hz) |
测量性能 |
厚度分辨率:30nm(轴向)/9um(横向) 重复性:±0.1μm (10次测量2g) 最大坡度角:87°(通过3D形貌重构) |
运动控制
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扫描速度:0.1-5mm/s(速度-精度自适应) Z轴负载:5kg(兼容真空吸盘/机械夹具) 平台平整度:≤2μm/200mm(花岗岩基座) |
环境适应性 |
工作温度:20±3℃(恒温选配±0.1℃) 环境适应性 电磁兼容:EN 61326-1(工业环境抗扰度) 洁净兼容:支持Class 1000洁净室 |
技术突破点:
1、红外干涉技术升级
光源:1310nm红外激光(穿透深度>300μm@Si) + 宽谱白光补偿模块
多层解析:支持5层介质膜逆向解算(如GaN-on-SiC异质外延结构)
抗干扰设计:配备热漂移补偿(±0.05μm/℃)与振动抑制算法(<5nm RMS)
2、精密运动系统
X/Y轴:线性电机驱动(200×200mm行程),光栅闭环反馈(±0.5μm定位)
Z轴:压电陶瓷纳米定位(1.6-100mm行程,30nm步进分辨率)
倾斜补偿:自动校正±2°样品倾角,确保垂直测量精度
3、智能检测平台
多材质数据库:预置Si/SiC/GaN等15种材料光学常数,支持自定义扩展
光斑优化:动态调节光斑尺寸(18-30μm),匹配不同膜层边缘检测需求